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IPW60R190E6FKSA1

1个N沟道耐压:600V 电流:20.2A

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描述: CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS E6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW60R190E6FKSA1
商品编号: C3278930
商品封装: TO-247-3-1
包装方式: 管装
商品毛重: 8.395克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS E6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更佳。

商品特性

由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss，损耗极低
极高的换向 ruggedness
易于使用/驱动
无铅镀层，无卤模塑料
符合JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用标准

应用领域

功率因数校正（PFC）级
硬开关脉宽调制（PWM）级
谐振开关PWM级，例如用于PC电源、适配器、液晶和等离子电视、照明、服务器、电信和不间断电源（UPS）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	20.2A
	导通电阻(RDS(on))	190mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	151W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@0.63mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	63nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.4nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	85pF