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IPW60R190E6FKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:20.2A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS E6系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件在不牺牲易用性的情况下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优点。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便和凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPW60R190E6FKSA1
- 商品编号
- C3278930
- 商品封装
- TO-247-3-1
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.63mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
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