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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPWS65R022CFD7AXKSA1

650V汽车级MOSFET,电流:61A,耐压:650V

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商品型号
IPWS65R022CFD7AXKSA1
商品编号
C3278941
商品封装
TO-247-3-31​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)96A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@10V
耗散功率(Pd)446W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)234nC@10V
输入电容(Ciss)11.659nF
工作温度-40℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)151pF

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,依据超结(SJ)原理设计。 CoolMOS C7系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势,能提供更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性出众。

商品特性

  • 市场上最新的 650V 汽车级技术,集成快速体二极管,具有超低 Qrr
  • 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
  • 100% 雪崩测试
  • SMD 和 THD 封装中同类最佳的 RDS(on)

应用领域

  • 单向和双向 DC-DC 转换器
  • 车载电池充电器

数据手册PDF