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IPW50R350CP

N沟道,电流:10A,耐压:550V

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW50R350CP
商品编号: C3278920
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 8.55克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ CE 系列融合了领先 SJ MOSFET 供应商的经验与卓越创新，在目标应用中，相较于标准 MOSFET 而言，是一种经济实惠的选择。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，且不影响易用性。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热良好。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层，无卤模塑料
符合 JEDEC（J - STD20 和 JESD22）工业级应用标准

应用领域

例如用于 PC 主机、液晶和等离子电视以及照明的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关 PWM 级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	350mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	89W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@0.37mA
	栅极电荷量(Qg)	25nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.02nF
	反向传输电容(Crss)	92pF@400V
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	46pF