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IPA80R1K4CEXKSA2
1个N沟道 耐压:800V 电流:3.9A
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- 描述
- CoolMOS CE 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术。其高压能力将安全性、性能和耐用性相结合，可实现最高效率水平的稳定设计。800V CoolMOS CE 提供多种封装选择，有助于降低系统成本并实现更高功率密度的设计
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA80R1K4CEXKSA2
- 商品编号
- C3278890
- 商品封装
- TO-220-FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.256667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@0.24mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于超18年的超结技术创新先驱经验。
商品特性
- 一流的品质因数RDS(on) * Eoss；降低了Qg、Ciss和Coss
- 一流的DPAK封装RDS(on)
- 一流的3V V(GS)th，最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
- 集成齐纳二极管ESD保护
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 全面优化的产品组合
应用领域
- 用于LED照明的硬开关和软开关反激拓扑
- 低功率充电器和适配器
- 音频设备
- 辅助电源
- 工业电源
- 消费类应用中的PFC级
- 太阳能应用中的PFC级
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