IPA60R299CPXK
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPA60R299CPXK
- 商品编号
- C3278861
- 商品封装
- TO-220-3-31
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 299mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@440uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
- 最低品质因数 RON x Qg
- 超低栅极电荷
- 具备极高的 dv/dt 额定值
- 具备高尖峰电流能力
- 符合 JEDEC 工业级应用要求
- 无铅电镀;符合 RoHS 标准;无卤模塑料
应用领域
- 硬开关开关电源拓扑
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