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IPA65R650CEXKSA1

1个N沟道耐压:650V 电流:10.1A

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描述: CoolIMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolIMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用需求，同时仍符合最高效率标准。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本效益比。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPA65R650CEXKSA1
商品编号: C3278863
商品封装: TO-220-3-FP
包装方式: 管装
商品毛重: 3.3克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结 (SJ) 原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，可针对消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性，并提供市场上最佳的降本性能比。

商品特性

由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss，损耗极低
极高的换向鲁棒性
易于使用/驱动
无铅镀层，无卤素模塑料
适用于标准等级应用

应用领域

例如 PC 主机、适配器、液晶与等离子电视以及室内照明等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	10.1A
	导通电阻(RDS(on))	650mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	28W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@210uA
	栅极电荷量(Qg)	23nC@10V
	输入电容(Ciss)	440pF
	反向传输电容(Crss)	30pF@100V
	工作温度	-40℃~+150℃
	输出电容(Coss)	30pF