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IPP60R160P7XKSA1
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
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- 描述
- CoolMOS 7th generation platform 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R160P7XKSA1
- 商品编号
- C3278823
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.35mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 454pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
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