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IPP034NE7N3G

1个N沟道 耐压:75V 电流:100A

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描述
特性:优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积 (FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 N 沟道,正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅镀层;符合 RoHS 标准,无卤素。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证
商品型号
IPP034NE7N3G
商品编号
C3278840
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.95克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)75V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)214W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.8V@155uA
栅极电荷量(Qg)117nC@10V
输入电容(Ciss)8.13nF
反向传输电容(Crss)99pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)1.84nF

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