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IPP023N08N5AKSA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:120A
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- 描述
- 特性：适用于高频开关和同步整流。 出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 符合IEC61249-2-21标准的无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP023N08N5AKSA1
- 商品编号
- C3278809
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流。
- 具有出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积(品质因数)。
- 导通电阻RDS(on)极低。
- N沟道,常电平。
- 经过100%雪崩测试。
- 无铅镀层;符合RoHS标准。
- 针对目标应用通过JEDEC认证。
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。