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IPP80R900P7XKSA1

1个N沟道耐压:800V 电流:6A

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描述: 最新的800V CoolMOS P7系列在800V超结技术领域树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPP80R900P7XKSA1
商品编号: C3278798
商品封装: TO-220-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.05克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。CoolMOS™ C6 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。所提供的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热更好。

商品特性

一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低了Qg、Ciss和Coss
一流的DPAK封装RDS(on)
一流的3V V(GS)th,最小的V(GS)th变化范围为±0.5V
集成齐纳二极管ESD保护
完全符合JEDEC工业应用标准
全面优化的产品组合

应用领域

用于LED照明的硬开关和软开关反激拓扑
低功率充电器和适配器
音频设备
辅助电源
工业电源
消费类应用中的PFC级
太阳能应用中的PFC级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	900mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	45W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V
	栅极电荷量(Qg)	15nC@10V
	输入电容(Ciss)	350pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	6pF