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IPP65R190C7FKSA1
1个N沟道 耐压:650V 电流:13A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R190C7FKSA1
- 商品编号
- C3278800
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 72W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。CoolMOS™ CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg实现更高效率
- 同类最佳的RDS(on)/封装
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀,无卤模塑料
- 符合JEDEC(J - STD20和JESD22)工业级应用标准
应用领域
-例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能领域的PFC级和硬开关PWM级。