IPP65R190CFD7AAKSA1
650V, 9A, 650V MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- 商品编号
- C3278799
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.291nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
ALD212900A/ALD212900精密N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这两款单片式双器件是ALD110900A/ALD110900 EPAD MOSFET系列的增强型产品，具有更高的正向跨导和输出电导，特别是在非常低的电源电压下。 ALD212900A/ALD212900适用于低电压、低功耗的小信号应用，具有零阈值电压特性，可使输入/输出信号参考地的电路设计在更宽的工作电压范围内工作。使用这些器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。 ALD212900A EPAD MOSFET的栅极阈值电压VGS(th)精确设置为0.00V ±0.01V（IDS = +20μA，VDS = 0.1V），典型失调电压仅为±0.001V（1mV），具有出色的匹配对器件电气特性。它们采用单芯片制造，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常开电路。 除了精密匹配对电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好可控的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应，可用于+0.1V至+10V（± 0.05V至± 5V）供电系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > 0.00V时，器件表现出增强模式特性；而当VGS < 0.00V时，器件在亚阈值电压区域工作，表现出传统的耗尽模式特性，具有良好可控的关断和亚阈值电平，其工作方式与标准增强模式MOSFET相同。 ALD212900A/ALD212900具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。在25°C下，漏极输出电流为30mA、输入电流为300pA时，直流电流增益的示例计算结果为30mA / 300pA = 100,000,000，这意味着动态工作电流范围约为八个数量级。
商品特性
- 市场上最新的具备集成快速体二极管的 650V 汽车级技术,拥有超低反向恢复电荷(Qrr)
- 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
- 经过 100% 雪崩测试
- SMD 和 THD 封装中同类最佳的导通电阻(RDS(on))
应用领域
- 单向和双向 DC-DC 转换器
- 车载电池充电器