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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPP65R190CFD7AAKSA1

650V, 9A, 650V MOSFET

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商品型号
IPP65R190CFD7AAKSA1
商品编号
C3278799
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.718克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)77W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)28nC@10V
输入电容(Ciss)1.291nF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

650V CoolMOS CFD7A 集成了快速体二极管,可用于 PFC 和谐振开关拓扑,如 ZVS 移相全桥和 LLC。

商品特性

  • 市场上最新的具备集成快速体二极管的 650V 汽车级技术,拥有超低反向恢复电荷(Qrr)
  • 最低的品质因数 RDS(on)*Qg 和 RDS(on)*Eoss
  • 经过 100% 雪崩测试
  • SMD 和 THD 封装中同类最佳的导通电阻(RDS(on))

应用领域

  • 单向和双向 DC-DC 转换器
  • 车载电池充电器

数据手册PDF