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IPP060N06NAKSA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP060N06NAKSA1
- 商品编号
- C3278777
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 3.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@36uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 613pF |
商品特性
- 双不对称N沟道OptiMOS 5 MOSFET
- 逻辑电平（额定4.5V）
- 针对高性能降压转换器优化
- 按JEDEC标准针对目标应用进行了认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品
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