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BSC0501NSI实物图
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BSC0501NSI

1个N沟道 耐压:30V 电流:130A

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描述
特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
商品型号
BSC0501NSI
商品编号
C3278727
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)720pF

数据手册PDF

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