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BSG0811NDATMA1
2个N沟道 耐压:25V 电流:50A
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- 描述
- 特性：双不对称N沟道OptiMOS 5 MOSFET逻辑电平（额定4.5V），针对高性能降压转换器进行优化。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSG0811NDATMA1
- 商品编号
- C3278742
- 商品封装
- TISON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.9nF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
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