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BSC160N15NS5ATMA1实物图
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BSC160N15NS5ATMA1

1个N沟道 耐压:150V 电流:56A

描述
特性:N沟道,标准电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(品质因数FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 150℃工作温度。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
商品型号
BSC160N15NS5ATMA1
商品编号
C3278736
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)56A
导通电阻(RDS(on))18.5mΩ@8V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))4.6V@60uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23.1nC@10V
输入电容(Ciss)1.82nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)454pF

数据手册PDF