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ISC037N03L5ISATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:66A
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- 描述
- 特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。 集成单片肖特基类二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC037N03L5ISATMA1
- 商品编号
- C3278718
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 66A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品特性
- 针对高性能降压转换器优化的同步场效应晶体管(SyncFET)
- 集成单片类肖特基二极管
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 出色的热阻性能
- N 沟道
- 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249 - 2 - 21 标准,无卤素
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