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IAUC120N04S6L005ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 AEC Q101认证。 MSL1，最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N04S6L005ATMA1
- 商品编号
- C3278713
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@130uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 177nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.203nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.982nF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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