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BSC150N03LDGATMA1
2个N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 特性：双N沟道、逻辑电平快速开关MOSFET，适用于开关电源。 针对DC/DC转换器优化的技术。 根据JEDEC标准，适用于目标应用。 出色的栅极电荷×导通电阻（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准，无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC150N03LDGATMA1
- 商品编号
- C3278696
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 26W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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