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IAUC90N10S5N062ATMA1
1个N沟道 耐压:100V 电流:90A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 普通级别-AEC Q101认证。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试。 适用于自动光学检测（AOI）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC90N10S5N062ATMA1
- 商品编号
- C3278685
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@59uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 524pF |
商品特性
- 适用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对笔记本电脑DC/DC转换器优化的技术
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 逻辑电平/ N沟道
- 出色的栅极电荷×导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 优异的热阻
- 雪崩额定值；dv/dt额定值
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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