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IAUC50N08S5L096ATMA1
N沟道,电流:50A,耐压:80V
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- 描述
- 特性：OptiMOS™功率MOSFET，适用于汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC50N08S5L096ATMA1
- 商品编号
- C3278676
- 商品封装
- TDSON-8-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.684nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 276pF |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 最高260°C峰值回流温度的MSL1
- 175°C工作温度
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试
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