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BSC030P03NS3GAUMA1实物图
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BSC030P03NS3GAUMA1

P沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
特性:单P沟道,采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 VGS = 25V,特别适用于笔记本应用。 无铅,符合RoHS标准。 ESD > 4kV。 无卤,符合IEC61249-2-21标准。应用:电池管理。 负载开关
商品型号
BSC030P03NS3GAUMA1
商品编号
C3278645
商品封装
TDSON-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.39克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4.6mΩ@6V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))1.9V@345uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)186nC@10V
输入电容(Ciss)14nF
反向传输电容(Crss)520pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)6.24nF

数据手册PDF

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