温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSC060P03NS3EGATMA1
1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：单P沟道，采用SuperSO8封装。 符合JEDEC标准，适用于目标应用。 工作温度为150℃。 100%雪崩额定。 VGS = 25V，特别适用于笔记本应用。 ESD保护。应用：电池管理。 负载开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC060P03NS3EGATMA1
- 商品编号
- C3278657
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V@150uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2.81nF |
商品特性
- 针对同步整流优化的技术
- 非常适合高频开关和 DC/DC 转换器
- 出色的栅极电荷 x RDS(on) 乘积（品质因数）
- 优异的热阻
- N 沟道，常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层；符合 RoHS 标准
- 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
相似推荐
其他推荐
- BSC160N10NS3GATMA1
- IPG20N06S2L65AATMA1
- IAUC24N10S5L300ATMA1
- IAUC41N06S5L100ATMA1
- IPC50N04S55R8ATMA1
- IAUC70N08S5N074
- IAUC60N06S5N074ATMA1
- IAUC50N08S5L096ATMA1
- IAUC60N10S5L110ATMA1
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- IPC100N04S5L1R9ATMA1
- IAUC100N10S5L054ATMA1
- IPC90N04S5L3R3ATMA1
- IAUC90N10S5N062ATMA1
- IAUC100N08S5N034ATMA1
- IAUC120N06S5L032ATMA1
- IPG20N06S2L65ATMA1
- IPG20N04S409AATMA1
- IPG20N06S4L26ATMA1
- BSC150N03LDGATMA1
- IPG20N10S4L22ATMA1