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ISC010N04NM6ATMA1

1个N沟道耐压:40V 电流:285A

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描述: 特性：针对低电压驱动应用进行优化。针对电池供电应用进行优化。针对同步应用进行优化。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素。额定温度175°C
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: ISC010N04NM6ATMA1
商品编号: C3278638
商品封装: TDSON-8FL
包装方式: 编带
商品毛重: 0.38克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具备同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性，且在设计导入过程中易于实施。

商品特性

针对低压驱动应用进行优化
针对电池供电应用进行优化
针对同步应用进行优化
极低的导通电阻RDS(on)
100%雪崩测试
出色的热阻性能
N沟道
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
额定温度175 °C

应用领域

软开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	285A
	导通电阻(RDS(on))	1mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	3W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.8V
	栅极电荷量(Qg)	67nC@10V
	输入电容(Ciss)	6nF
	反向传输电容(Crss)	52pF
	工作温度	-55℃~+175℃