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BSC005N03LS5IATMA1
1个N沟道 耐压:30V 电流:433A
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- 描述
- 特性：单片集成类肖特基二极管。 在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 为快速开关优化电荷。 为感应导通耐用性优化 Qgd / Qgs。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC005N03LS5IATMA1
- 商品编号
- C3278641
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 433A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 单片集成肖特基二极管
- 在 VGS = 4.5 V 时,导通电阻RDS(ON)极低
- 优化电荷,实现快速开关
- 优化 Qgd / Qgs,增强感应导通的坚固性
- 100% 雪崩测试
- N 沟道
- 无铅引脚电镀;符合 RoHS 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
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