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ISC0702NLSATMA1

1个N沟道耐压:60V 电流:135A

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描述: 特性：适用于高频开关。针对充电器进行优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。适用于标准等级应用
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: ISC0702NLSATMA1
商品编号: C3278628
商品封装: TDSON-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.282058克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是专门针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计导入过程中不影响其易实现性。

商品特性

适用于高频开关
针对充电器进行优化
经过100%雪崩测试
卓越的热阻性能
N沟道、逻辑电平
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21标准无卤
适用于标准等级应用

应用领域

软开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	135A
	导通电阻(RDS(on))	2.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	100W
	阈值电压(Vgs(th))	1.7V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	21nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	2.7nF
	反向传输电容(Crss)	26pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	580pF