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ISC012N04NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:232A
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- 描述
- 特性：N沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61240-2-21标准无卤。 针对低电压驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 针对同步整流进行优化。 额定温度175℃
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC012N04NM6ATMA1
- 商品编号
- C3278636
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 232A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@747uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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