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ISC012N04NM6ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:232A
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- 描述
- 特性：N沟道。 极低导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 100%雪崩测试。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61240-2-21标准无卤。 针对低电压驱动应用进行优化。 针对电池供电应用进行优化。 针对同步整流进行优化。 额定温度175℃
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC012N04NM6ATMA1
- 商品编号
- C3278636
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 232A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.4nF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用。
商品特性
- N沟道
- 极低导通电阻 RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤素
- 针对低电压驱动应用优化
- 针对电池供电应用优化
- 针对同步整流优化
- 额定温度175°C
应用领域
- 负载开关
- DC/DC转换
- MicroFET 3x1.9
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