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IPLK70R900P7ATMA1
1个N沟道 耐压:700V 电流:5.7A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个优化平台，适用于消费市场中对成本敏感的应用，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，结合了出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPLK70R900P7ATMA1
- 商品编号
- C3278629
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@60uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 211pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
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