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IAUC120N04S6L012ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 特性：- N沟道汽车应用功率MOSFET。 增强模式。 逻辑电平。 通过AEC Q101认证。 MSL1，最高峰值回流温度260°C。 工作温度175°C。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N04S6L012ATMA1
- 商品编号
- C3278620
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@60uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.832nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 83pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 通过AEC Q101认证
- 最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
- 工作温度可达175°C
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
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