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IAUC120N04S6N013ATMA1
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 AEC Q101合格。 MSL1可达260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUC120N04S6N013ATMA1
- 商品编号
- C3278627
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.282058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@7V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@60uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.26nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 适用于高频开关
- 针对充电器进行优化
- 经过100%雪崩测试
- 卓越的热阻性能
- N沟道、逻辑电平
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
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