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BSP135H6327
1个N沟道 耐压:600V 电流:0.12A
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- 描述
- 特性：N沟道耗尽模式。dv/dt额定。卷盘上带有VGS(th)指示器。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。符合AEC Q101标准。符合IEC61249-2-21的无卤标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSP135H6327
- 商品编号
- C3278599
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.214克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@94uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@3V | |
| 输入电容(Ciss) | 146pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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