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BSS169IXTSA1
N通道,电流:0.19A,耐压:100V
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- 描述
- 特性：N-channel。 Depletion mode。 dv/dt rated。 Pb-free lead-plating; RoHS compliant。 Halogen-free according to AEC61249-2-21
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS169IXTSA1
- 商品编号
- C3278607
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@3到7V | |
| 输入电容(Ciss) | 51pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- 专为具备AGC功能的UHF和VHF调谐器输入级设计
- 支持5 V工作模式和节能3 V工作模式
- 集成ESD栅极保护二极管
- 极低噪声系数
- 高增益、高正向跨导
- 增益降低时具备出色的互调特性
- 无铅（符合RoHS标准）封装
- 符合AEC Q101标准
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