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ISP20EP10LMXTSA1
1个P沟道 耐压:100V 电流:0.99A
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- 描述
- 特性：P沟道。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS +4.5V。 增强模式。 100%雪崩测试。 逻辑电平。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 完全符合JEDEC工业应用标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISP20EP10LMXTSA1
- 商品编号
- C3278594
- 商品封装
- SOT-223-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 990mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@78uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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