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IPN80R2K4P7ATMA1
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.5A
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- 描述
- 最新的800V CoolMOS P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与最先进的易用性相结合，这得益于英飞凌18年多来在超结技术创新方面的努力。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN80R2K4P7ATMA1
- 商品编号
- C3278577
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 6.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@40uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF@500V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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