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IPN95R3K7P7ATMA1

1个N沟道耐压:950V 电流:2A

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描述: 特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss，降低了Qg、CGS 和 CGD。同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。同类最佳的品质和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPN95R3K7P7ATMA1
商品编号: C3278582
商品封装: SOT-223
包装方式: 编带
商品毛重: 0.194克(g)

商品参数

商品概述

ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 是高精度单片四/双 N 沟道 MOSFET。它们适用于低电压小信号应用，具有零阈值电压特性，可减少或消除输入到输出的电压电平偏移。这些配对的 MOSFET 旨在实现出色的器件电气特性匹配，阈值电压精确设置为 +0.00V ±0.01V，典型失调电压仅为 ±0.001V（1mV）。它们还具有出色的温度系数跟踪特性。作为设计组件，它们可广泛应用于各种模拟应用。每个单独的 MOSFET 也具有良好控制的参数。这些器件专为实现最小失调电压和差分热响应而设计，适用于 +0.2V 至 +10V 系统中的开关和放大应用，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些器件的 VGS(th) 设置为 +0.00V，使其既属于增强型器件，也属于耗尽型器件。当栅极设置为 0.00V 时，在 VDS = 0.1V 条件下，漏极电流为 +1μA。这些器件展现出标准增强型 MOSFET 良好控制的关断和亚阈值特性。ALD110800A/ALD110800/ALD110900A/ALD110900 具有高输入阻抗（10^12Ω）和高直流电流增益（>10^8）。

商品特性

一流的品质因数RDS(on) * Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
一流的SOT - 223封装RDS(on)
一流的3V V(GS)th,±0.5V的最小V(GS)th变化
集成齐纳二极管ESD保护
一流的CoolMOSTM品质和可靠性
全面优化的产品组合

应用领域

LED照明的反激式拓扑
低功率充电器和适配器
智能电表
辅助电源
工业电源
消费和太阳能应用中的PFC级

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	950V
	连续漏极电流(Id)	2A
	导通电阻(RDS(on))	3.7Ω@10V
	耗散功率(Pd)	6W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	9nC@10V
	输入电容(Ciss)	196pF
	反向传输电容(Crss)	47pF
	工作温度	-55℃~+150℃