IPN95R3K7P7ATMA1
1个N沟道 耐压:950V 电流:2A
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- 描述
- 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss,降低了Qg、CGS 和 CGD。 同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。 也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN95R3K7P7ATMA1
- 商品编号
- C3278582
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@40uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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