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IPN95R3K7P7ATMA1实物图
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IPN95R3K7P7ATMA1

1个N沟道 耐压:950V 电流:2A

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描述
特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eoss,降低了Qg、CGS 和 CGD。 同类最佳的 SOT-223 RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 同类最佳的品质和可靠性。 完全优化的产品组合。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。 也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级
商品型号
IPN95R3K7P7ATMA1
商品编号
C3278582
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.194克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))3.7Ω@10V
耗散功率(Pd)6W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@40uA
栅极电荷量(Qg)9nC@10V
输入电容(Ciss)196pF@400V
反向传输电容(Crss)47pF@400V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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