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IPN60R2K1CE
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.7A
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- 描述
- CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场对成本敏感的应用，同时仍符合最高效率标准。新系列提供了快速开关超结MOSFET的所有优点，同时不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本降低性能比。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPN60R2K1CE
- 商品编号
- C3278584
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.296667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@0.06mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。CoolMOS CE是一个经过性价比优化的平台，在满足最高效率标准的同时，可用于消费和照明市场对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优点，且不影响易用性，还拥有市场上最佳的降本性能比。
商品特性
- 极低的FOM（Rdson*Qg和Eoss），损耗极低
- 极高的换向坚固性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层，无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 照明