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IPT60R105CFD7XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT60R105CFD7XTMA1

600V CoolMOS CFD7 功率晶体管,电流:15A,耐压:650V

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商品型号
IPT60R105CFD7XTMA1
商品编号
C3278552
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V@0.39mA
栅极电荷量(Qg)36nC@10V
输入电容(Ciss)1.504nF
反向传输电容(Crss)519pF@400V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)28pF

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它依据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品,是专门针对移相全桥(ZVS)和LLC等软开关应用优化的平台。凭借降低的栅极电荷(Qg)、同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)以及改善的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中实现了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势,同时具备出色的硬换向鲁棒性,且在设计导入过程中易于实施,毫不逊色。

商品特性

  • 超快体二极管
  • 低栅极电荷
  • 同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)
  • 改善的MOSFET反向二极管dv/dt和diF/dt鲁棒性
  • 最低的品质因数RDS(on) * Qg和RDS(on) * Eoss
  • 贴片(SMD)和通孔(THD)封装中同类最佳的RDS(on)

应用领域

  • 软开关拓扑
  • 移相全桥(ZVS)、LLC应用 – 服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF