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IPT60R150G7XTMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPT60R150G7XTMA1

1个N沟道 耐压:600V 电流:17A

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描述
C7 GOLD系列(G7)首次将C7 GOLD CoolMOS技术的优势、4引脚开尔文源功能以及TOLL封装改进后的热性能相结合,为高达3kW的PFC等大电流拓扑结构提供了一种可行的表面贴装器件(SMD)解决方案。
商品型号
IPT60R150G7XTMA1
商品编号
C3278558
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.19克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@10V
耗散功率(Pd)106W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@260uA
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)902pF
反向传输电容(Crss)350pF@400V
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)19pF

商品特性

  • 典型值:当栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 16.5 A时,导通电阻RDS(on) = 11.7 mΩ
  • 典型值:当栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 16.5 A时,总栅极电荷Q_g(tot) = 37 nC
  • 非钳位感性负载(UIS)能力
  • 符合RoHS标准
  • 通过AEC Q101认证

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 集成启动/发电机
  • 12V系统的主开关

数据手册PDF