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IPTG210N25NM3FDATMA1
1个N沟道 耐压:250V 电流:77A
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 具有低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)。 工作温度达175℃。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准。 根据IEC61248-2-21标准，无卤素。 针对硬换向耐用性进行了优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTG210N25NM3FDATMA1
- 商品编号
- C3278563
- 商品封装
- HSOG-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.982284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 77A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@267uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
优惠活动
购买数量
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