BF5030RE6327
N沟道MOSFET,电流:25mA,耐压:8V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BF5030RE6327
- 商品编号
- C3278570
- 商品封装
- SOT-143R
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@20uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
IPDQ60R010S7A是一款高压功率MOSFET，依据英飞凌科技公司首创的超结（SJ）原理设计为静态开关。 IPDQ60R010S7A将领先的SJ MOSFET供应商的经验与高端创新相结合，能够在QDPAK封装中实现低导通电阻RDS(on)。S7A系列针对低频开关和大电流应用（如断路器）进行了优化。
商品特性
- 针对高端应用中的低开关频率进行优化（断路器以及桥式整流器中的二极管并联/替换）。
- S7A技术可在最小的占位面积内实现同类最佳的导通电阻RDS(on)。
- 开尔文源极引脚可提高大电流下的开关性能。
- QDPAK（PG - HDSOP - 22 - 1）封装符合MSL1标准，完全无铅，引脚便于目视检查。
应用领域
- 断路器(高压电池断开开关、直流和交流低频开关、高压电子保险丝)-用于高功率/高性能应用的二极管并联/替换
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