IPTG025N10NM5ATMA1
N沟道,电流:206A,耐压:100V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTG025N10NM5ATMA1
- 商品编号
- C3278566
- 商品封装
- HSOG-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.982284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 206A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,150A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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