IPTG025N08NM5ATMA1
N沟道,电流:184A,耐压:80V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTG025N08NM5ATMA1
- 商品编号
- C3278559
- 商品封装
- HSOG-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.982284克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 184A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V,150A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤素
- 适用于高频开关和同步整流
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- BF 1009SR E6327
- BF5030RE6327
- IPN80R2K4P7ATMA1
- IPN80R1K4P7ATMA1
- IPN70R750P7SATMA1
- IPN95R3K7P7ATMA1
- IPN60R2K1CE
- SP000089223
- ISP14EP15LMXTSA1
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