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IPTG111N20NM3FDATMA1
1个N沟道 耐压:200V 电流:108A
- 描述
- 特性：N- 沟道，正常电平。 极低导通电阻 RDS(on)。 具有低 Qrr 的快速二极管 (FD)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61248-2-21 无卤。 针对硬换向耐用性进行优化
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- 商品编号
- C3278561
- 商品封装
- HSOG-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.8292克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@267uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交7单
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