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IPT014N08NM5ATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:331A
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- 描述
- 特性：针对电池供电应用进行优化。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的导通电阻RDS(on)。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅引脚镀层；符合ROH标准。 根据JEDEC针对目标应用进行认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT014N08NM5ATMA1
- 商品编号
- C3278551
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.030769克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 331A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@280uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 具备低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)
- 工作温度达175°C
- 引脚无铅电镀；符合RoHS标准
- 符合IEC61249 - 2 - 21的无卤要求
- 针对硬换向耐用性进行优化
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- SP000089223
- ISP14EP15LMXTSA1
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- ISP16DP10LMXTSA1