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IAUT300N08S5N014ATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUT300N08S5N014ATMA1

1个N沟道 耐压:80V 电流:300A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:N沟道。 增强模式。 AEC认证。 MSL1,最高260℃峰值回流温度。 175℃工作温度。 绿色产品(符合RoHS标准)。 超低导通电阻。 100%雪崩测试
商品型号
IAUT300N08S5N014ATMA1
商品编号
C3278542
商品封装
HSOF-8​
包装方式
编带
商品毛重
1.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)300W
阈值电压(Vgs(th))3.8V@230uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)187nC@10V
输入电容(Ciss)13.178nF@25℃
反向传输电容(Crss)106pF@25℃
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品特性

  • 用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
  • N沟道 - 增强模式 - 正常电平
  • 超出AEC - Q101的扩展认证
  • 增强型电气测试
  • 坚固设计
  • 最高260°C峰值回流温度的MSL3
  • 175°C工作温度
  • 绿色产品(符合RoHS标准)
  • 100%雪崩测试

应用领域

  • 通用汽车应用。

数据手册PDF