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IPT111N20NFDATMA1
1个N沟道 耐压:200V 电流:96A
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- 描述
- 特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₙ。针对硬换向坚固性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃ 工作温度。无铅负载镀层；符合 RelUS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT111N20NFDATMA1
- 商品编号
- C3278546
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 96A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@267uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 87nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 530pF |
优惠活动
购买数量
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