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IAUT300N08S5N012ATMA2

1个N沟道耐压:80V

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描述: 特性：N沟道。增强模式。 AEC认证。 MSL1，最高峰值回流温度260℃。工作温度175℃。绿色产品（符合RoHS标准）。超低导通电阻。 100%雪崩测试
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IAUT300N08S5N012ATMA2
商品编号: C3278548
商品封装: HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.92克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的后续产品，是针对移相全桥（ZVS）和LLC等软开关应用量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、拥有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中具备最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中不影响轻松实施。

商品特性

N沟道 - 增强型
通过AEC认证
最高260°C峰值回流温度下达到MSL1等级
工作温度达175°C
绿色产品(符合RoHS标准)
超低导通电阻Rds(on)
100%雪崩测试

应用领域

软开关拓扑
移相全桥（ZVS）、LLC应用——服务器、电信、电动汽车充电

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	300A
	导通电阻(RDS(on))	1.2mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	375W
	阈值电压(Vgs(th))	3.8V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	231nC@10V
	输入电容(Ciss)	16.25nF
	反向传输电容(Crss)	130pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.114nF