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IPT008N06NM5LFATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:454A
- 描述
- 特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 完全符合JEDEC工业应用标准
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT008N06NM5LFATMA1
- 商品编号
- C3278538
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 454A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 185nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.8nF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 正常电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 稳健设计
- 最高260°C峰值回流温度的MSL3
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 通用汽车应用。
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