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IPT013N08NM5LFATMA1

1个N沟道耐压:80V 电流:333A

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描述: 特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。极低的导通电阻RDS(on)。宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。无铅电镀；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPT013N08NM5LFATMA1
商品编号: C3278540
商品封装: HSOF-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.9克(g)

商品参数

商品概述

ALD1107/ALD1117 是单片四通道/双通道 P 沟道增强型匹配 MOSFET 晶体管阵列，适用于广泛的精密模拟应用。ALD1107/ALD1117 具有高输入阻抗和负电流温度系数。晶体管对经过匹配，可实现最小失调电压和差分热响应，专为 -2V 至 -10V 系统中的精密模拟开关和放大应用而设计，这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。这些 MOSFET 器件在低频或接近直流的工作环境中具有非常大（几乎无穷大）的电流增益。ALD1107/ALD1117 是差分放大器输入级、传输门、多路复用器应用、电流源和许多精密模拟电路的基本构建模块。

商品特性

适用于热插拔和电子保险丝应用
极低的导通电阻RDS(on)
宽安全工作区SOA
N沟道,标准电平
100%雪崩测试
无铅镀层;符合RoHS标准
根据IEC61249-2-21标准无卤素

应用领域

精密电流镜-精密电流源-电压斩波器-差分放大器输入级-电压比较器-数据转换器-采样与保持-模拟信号处理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	80V
	连续漏极电流(Id)	333A
	导通电阻(RDS(on))	1.3mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	278W
	阈值电压(Vgs(th))	4.1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	158nC@10V
	输入电容(Ciss)	820pF
	反向传输电容(Crss)	37pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	2.6nF