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IPT013N08NM5LFATMA1
1个N沟道 耐压:80V 电流:333A
- 描述
- 特性：适用于热插拔和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT013N08NM5LFATMA1
- 商品编号
- C3278540
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 333A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 158nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.6nF |
交货周期
订货10-15个工作日购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 2000 个)个
起订量：2000 个2000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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