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IPT039N15N5ATMA1
1个N沟道 耐压:150V 电流:190A
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- 描述
- 特性：N- 沟道。 极低导通电阻 RDS(on)。 卓越的热阻。 100% 雪崩测试。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT039N15N5ATMA1
- 商品编号
- C3278539
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 319W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.6V@257uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.93nF |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个2000个/圆盘
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- BF 1009SR E6327